MOSFET Infineon BSC080N03MSGATMA1, VDSS 30 V, ID 53 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 754-5288
- Nº ref. fabric.:
- BSC080N03MSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 754-5288
- Nº ref. fabric.:
- BSC080N03MSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 53 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Tipo de Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 10,2 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 35 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Ancho | 6.1mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 21 nC a 10 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 53 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Tipo de Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 10,2 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1V | ||
Disipación de Potencia Máxima 35 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Ancho 6.1mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 21 nC a 10 V | ||
Material del transistor Si | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 5.35mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Altura 1.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V
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MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo
Transistores MOSFET, Infineon
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