MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S4L11ATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de
- Código RS:
- 258-3879
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L11ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
2,83 €
(exc. IVA)
3,424 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4970 unidad(es) más para enviar a partir del 20 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,415 € | 2,83 € |
| 10 - 98 | 1,27 € | 2,54 € |
| 100 - 248 | 1,225 € | 2,45 € |
| 250 - 498 | 1,045 € | 2,09 € |
| 500 + | 0,96 € | 1,92 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3879
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L11ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | IPG20N06S4L-11 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie IPG20N06S4L-11 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia OptiMOS T2 de Infineon es un Super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. La almohadilla expuesta proporciona una excelente transferencia térmica, dos MOSFET de canal N en un encapsulado con 2 bastidores de cable aislados.
Nivel lógico de canal N doble - Modo de mejora
Certificación AEC Q101
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (conforme con RoHS)
100 % probado en avalancha
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON config. Modo de mejora del nivel lógico de
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON 2, config. Modo de mejora del nivel lógico
- MOSFET Infineon VDSS 100 V TDSON config. Modo de mejora del nivel lógico
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON config. Modo de mejora
- MOSFET Infineon VDSS 40 V TDSON 2, config. Modo de mejora
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON 2, config. Modo de
- MOSFET Infineon VDSS 40 V TDSON 2, config. Modo de