MOSFET Infineon IPG20N06S4L11ATMA2, VDSS 60 V, ID 20 A, PG-TDSON
- Código RS:
- 258-3880
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
5000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)
0,683 €
(exc. IVA)
0,826 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,683 € | 3.415,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3880
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El transistor de potencia OptiMOS-T2 de Infineon es un super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. El mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz.
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (conforme con RoHS)
100 % probado en avalancha
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (conforme con RoHS)
100 % probado en avalancha
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Encapsulado | PG-TDSON |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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