MOSFET Infineon, Doble N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, config. Modo de mejora del nivel lógico de

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Código RS:
258-3880
Nº ref. fabric.:
IPG20N06S4L11ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Doble N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOSTM-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±16 V

Configuración de transistor

Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-T2 de Infineon es un super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. El mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz.

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (conforme con RoHS)

100 % probado en avalancha

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