MOSFET Infineon IPG20N04S4L08AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 doble de 8 pines, 2elementos
- Código RS:
- 214-9060
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
5005 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 15)
1,452 €
(exc. IVA)
1,757 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
15 - 60 | 1,452 € | 21,78 € |
75 - 135 | 1,381 € | 20,715 € |
150 - 360 | 1,243 € | 18,645 € |
375 + | 1,236 € | 18,54 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9060
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N04S4L08AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
La gama Infineon de nuevos OptiMOS -T2 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y accionamientos eléctricos. La nueva familia de productos OptiMOS -T2 amplía las familias existentes de OptiMOS -T y OptiMOS. El modo de mejora del nivel lógico de canal N doble es factible para la inspección óptica automática (AOI). Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia.
El producto tiene certificación AEC Q101
Prueba de avalancha al 100 %
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Prueba de avalancha al 100 %
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
Serie | OptiMOS™ -T2 |
Tipo de Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 doble |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,0082 O |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V |
Material del transistor | Si |
Número de Elementos por Chip | 2 |
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