MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S4L11AATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Modo de
- Código RS:
- 214-9062
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,344 € | 13,44 € |
| 50 - 90 | 1,277 € | 12,77 € |
| 100 - 240 | 1,223 € | 12,23 € |
| 250 - 490 | 1,169 € | 11,69 € |
| 500 + | 1,088 € | 10,88 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-9062
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Configuración de transistor | Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Anchura | 5.9 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, MSL1, AEC Q101 | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Configuración de transistor Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 5.15mm | ||
Anchura 5.9 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, MSL1, AEC Q101 | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
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