MOSFET Infineon, Doble N-Canal IPG20N06S4L11ATMA2, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, config. Modo de mejora
- Código RS:
- 258-3881
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
4,06 €
(exc. IVA)
4,92 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4996 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,03 € | 4,06 € |
| 20 - 48 | 1,825 € | 3,65 € |
| 50 - 98 | 1,71 € | 3,42 € |
| 100 - 198 | 1,585 € | 3,17 € |
| 200 + | 1,48 € | 2,96 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3881
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOSTM-T2 | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±16 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Configuración de transistor | Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOSTM-T2 | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±16 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Configuración de transistor Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia OptiMOS-T2 de Infineon es un super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. El mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz.
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (conforme con RoHS)
100 % probado en avalancha
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON config. Modo de mejora del nivel lógico de
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de
- MOSFET Infineon VDSS 40 V TDSON 2, config. Modo de mejora
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N
- MOSFET Infineon VDSS 40 V TDSON 2, config. Modo de
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON 2, config. Modo de
- MOSFET Infineon VDSS 60 V TDSON 2, config. Modo de mejora del nivel lógico
- MOSFET Infineon VDSS 100 V TDSON config. Modo de mejora del nivel lógico