MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S2L35AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, config. Doble

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Código RS:
258-3877
Nº ref. fabric.:
IPG20N06S2L35AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS de Infineon es un Super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. Conexión de bastidor de cable de fuente más grande para unir cables y el mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz.

Nivel lógico de canal N doble - Modo de mejora

Certificación AEC Q101

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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