MOSFET Infineon IPG20N06S2L65AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 A, TDSON de 8 pines, 2elementos

Código RS:: 223-8519
Nº ref. fabric.:: IPG20N06S2L65AATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPG20N06S2L65AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 A, TDSON de 8 pines, 2elementos

19985 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)

0,403 €

(exc. IVA)

0,488 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
5000 +	0,403 €	2.015,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 223-8519
Nº ref. fabric.:: IPG20N06S2L65AATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPG20N06S2L65AATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de canal N doble de la serie OptiMOS de Infineon tiene una tensión de drenador a fuente de 55 V. Tiene las ventajas de una conexión de bastidor de cable de fuente mayor para la unión de cables y el cable de unión es de 200um mm para una corriente de hasta 20A A.

Certificación AEC Q101 para automoción
260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak
Temperatura de funcionamiento de •175 °C.
•Paquete verde
•RDS ultra baja
Prueba de avalancha de •100 %

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	OptiMOS™
Tipo de Encapsulado	TDSON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,065 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.2V
Número de Elementos por Chip	2
Material del transistor	Si

MOSFET Infineon IPG20N06S2L65AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 A, TDSON de 8 pines, 2elementos

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