Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
223-8519
Nº ref. fabric.:
IPG20N06S2L65AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.4nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5.15mm

Anchura

5.9 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de canal N doble de la serie OptiMOS de Infineon tiene una tensión de drenador a fuente de 55 V. Tiene las ventajas de una conexión de bastidor de cable de fuente mayor para la unión de cables y el cable de unión es de 200um mm para una corriente de hasta 20A A.

Certificación AEC Q101 para automoción

260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak

Temperatura de funcionamiento de •175 °C.

•Paquete verde

•RDS ultra baja

Prueba de avalancha de •100 %

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