Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N10S436AATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
218-3060
Nº ref. fabric.:
IPG20N10S436AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistor de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS-T2

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

36mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

AEC Q101, RoHS

Longitud

5.15mm

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de automoción de canal N doble serie OptiMOS™-T2 de Infineon. Es factible para la inspección óptica automática (AOI).

Canal N doble: Modo de mejora

Prueba de avalancha al 100 %

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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