- Código RS:
- 223-8520
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S2L65AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
19985 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 15)
1,014 €
(exc. IVA)
1,227 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
15 - 135 | 1,014 € | 15,21 € |
150 - 360 | 0,963 € | 14,445 € |
375 - 735 | 0,923 € | 13,845 € |
750 - 1485 | 0,883 € | 13,245 € |
1500 + | 0,821 € | 12,315 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 223-8520
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N06S2L65AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET de canal N doble de la serie OptiMOS de Infineon tiene una tensión de drenador a fuente de 55 V. Tiene las ventajas de una conexión de bastidor de cable de fuente mayor para la unión de cables y el cable de unión es de 200um mm para una corriente de hasta 20A A.
Certificación AEC Q101 para automoción
260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak
Temperatura de funcionamiento de •175 °C.
•Paquete verde
•RDS ultra baja
Prueba de avalancha de •100 %
260 MSL1 hasta •°C de reflujo Peak
Temperatura de funcionamiento de •175 °C.
•Paquete verde
•RDS ultra baja
Prueba de avalancha de •100 %
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 20 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo de Encapsulado | TDSON |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,065 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V |
Número de Elementos por Chip | 2 |
Material del transistor | Si |
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