Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N10S4L22ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,
- Código RS:
- 222-4681
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
11,63 €
(exc. IVA)
14,07 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 7850 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,163 € | 11,63 € |
| 100 - 240 | 1,106 € | 11,06 € |
| 250 - 490 | 1,081 € | 10,81 € |
| 500 - 990 | 1,01 € | 10,10 € |
| 1000 + | 0,942 € | 9,42 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4681
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N10S4L22ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Anchura | 5.9 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.15mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Anchura 5.9 mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.
OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción
Enlaces relacionados
- Transistor de potencia Infineon VDSS 100 V TDSON 2, config. Doble
- Transistor de potencia Infineon VDSS 100 V TDSON 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 40 V TDSON 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 100 V TDSON 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 40 V TDSON 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 55 V TDSON 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 100 V TDSON 2,
- Transistor de potencia VDSS 135 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines