MOSFET Infineon IPG20N10S4L22ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 doble de 8 pines, 2elementos

Código RS:: 222-4681
Nº ref. fabric.:: IPG20N10S4L22ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPG20N10S4L22ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 doble de 8 pines, 2elementos

7970 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,264 €

(exc. IVA)

1,529 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 90	1,264 €	12,64 €
100 - 240	1,202 €	12,02 €
250 - 490	1,176 €	11,76 €
500 - 990	1,10 €	11,00 €
1000 +	1,024 €	10,24 €

*precio indicativo

Código RS:: 222-4681
Nº ref. fabric.:: IPG20N10S4L22ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPG20N10S4L22ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)
Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.
OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	SuperSO8 5 x 6 doble
Serie	CoolMOS™
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,022 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.1V
Número de Elementos por Chip	2
Material del transistor	Silicio

MOSFET Infineon IPG20N10S4L22ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 doble de 8 pines, 2elementos

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