Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

2.570,00 €

(exc. IVA)

3.110,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 5000 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
5000 +0,514 €2.570,00 €

*precio indicativo

Código RS:
222-4680
Nº ref. fabric.:
IPG20N10S4L22ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TDSON

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

5.15mm

Altura

1mm

Anchura

5.9 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

Enlaces relacionados

Recently viewed