Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
222-4680
Nº ref. fabric.:
IPG20N10S4L22ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistor de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TDSON

Serie

CoolMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

5.15mm

Altura

1mm

Anchura

5.9 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Producto ecológico (compatible con RoHS)

Certificación AEC Q101 de reflujo Peak MSL1 hasta 260 °C.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

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