Transistor MOSFET & Diodo Infineon IPG20N10S4L35ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, 2elementos

Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia con calificación de automoción de canal N 75V-100V que utilizan la nueva tecnología OptiMOS en varios encapsulados. Un rango RDS(on) de 1.2mΩ 190mΩReducing a CO2 48V de emisiones de turismos acelera la adopción de la placa 48V y, por tanto, el como generadores de arranque (inversor principal), Interruptores principales de la batería, convertidor dc-dc y auxiliares 48V. Para este mercado emergente, Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de automoción 80V y 100V, Que están alojados en diferentes tipos de paquetes como TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) y S308 (TSDSON-8), para proporcionar soluciones para diferentes requisitos de potencia, así como diferentes conceptos de refrigeración en el nivel de unidad de control electrónico (ECU). Los MOSFET 80V y 100V se utilizan también junto a aplicaciones 48V, por ejemplo, en iluminación LED, inyección de combustible y carga inalámbrica en el vehículo.

Nivel lógico de canal N doble: Modo de mejora
Certificación AEC Q101
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Prueba de avalancha al 100 %
El Super S08 doble puede reemplazar varios DPAK para lograr un ahorro significativo en el área de PCB y una reducción de costes a nivel de sistema.
El cable de conexión es 200um para corriente de hasta 20A
Conexión de bastidor de cable de fuente más grande para la conexión de cable
Encapsulado: PG-TDSON-8-4
Mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz.
La almohadilla expuesta proporciona una excelente transferencia térmica (varía según el tamaño de la matriz)
Dos MOSFET de canal N en un encapsulado con 2 cables aislados marcos