Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N04S408AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

11,52 €

(exc. IVA)

13,94 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 4660 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 +1,152 €11,52 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
218-3058
Nº ref. fabric.:
IPG20N04S408AATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IPG20

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5.15mm

Altura

1mm

Anchura

5.9 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de automoción de canal N Infineon 20V-40V. La almohadilla expuesta proporciona una excelente transferencia térmica (varía según el tamaño de la matriz).

Nivel normal de canal N doble: Modo de mejora

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Prueba de avalancha al 100 %

Factible para la inspección óptica automática (AOI)

Enlaces relacionados