Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG16N10S461AATMA1, VDSS 100 V, ID 16 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-9058
Nº ref. fabric.:
IPG16N10S461AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

61mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

29W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

5.15mm

Anchura

5.9 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

La gama Infineon de nuevos OptiMOS -T2 tiene una gama de transistores MOSFET de bajo consumo con reducción de CO2 y accionamientos eléctricos. La nueva familia de productos OptiMOS -T2 amplía las familias existentes de OptiMOS -T y OptiMOS. El modo de mejora de nivel normal de canal N doble es factible para la inspección óptica automática (AOI). Los productos OptiMOS están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia.

El producto tiene certificación AEC Q101

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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