Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N10S4L35ATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2,
- Código RS:
- 220-7426
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 15 unidades)*
15,345 €
(exc. IVA)
18,57 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 14.925 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,023 € | 15,35 € |
| 75 - 135 | 0,972 € | 14,58 € |
| 150 - 360 | 0,931 € | 13,97 € |
| 375 - 735 | 0,891 € | 13,37 € |
| 750 + | 0,829 € | 12,44 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7426
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 43W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Anchura | 5.9 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 43W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.15mm | ||
Anchura 5.9 mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de potencia con calificación de automoción de canal N 75V-100V que utilizan la nueva tecnología OptiMOS en varios encapsulados. Un rango RDS(on) de 1.2mΩ 190mΩReducing a CO2 48V de emisiones de turismos acelera la adopción de la placa 48V y, por tanto, el como generadores de arranque (inversor principal), Interruptores principales de la batería, convertidor dc-dc y auxiliares 48V. Para este mercado emergente, Infineon ofrece una amplia gama de MOSFET de automoción 80V y 100V, Que están alojados en diferentes tipos de paquetes como TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) y S308 (TSDSON-8), para proporcionar soluciones para diferentes requisitos de potencia, así como diferentes conceptos de refrigeración en el nivel de unidad de control electrónico (ECU). Los MOSFET 80V y 100V se utilizan también junto a aplicaciones 48V, por ejemplo, en iluminación LED, inyección de combustible y carga inalámbrica en el vehículo.
Nivel lógico de canal N doble: Modo de mejora
Certificación AEC Q101
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (compatible con RoHS)
Prueba de avalancha al 100 %
El Super S08 doble puede reemplazar varios DPAK para lograr un ahorro significativo en el área de PCB y una reducción de costes a nivel de sistema.
El cable de conexión es 200um para corriente de hasta 20A
Conexión de bastidor de cable de fuente más grande para la conexión de cable
Encapsulado: PG-TDSON-8-4
Mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz.
La almohadilla expuesta proporciona una excelente transferencia térmica (varía según el tamaño de la matriz)
Dos MOSFET de canal N en un encapsulado con 2 cables aislados marcos
Enlaces relacionados
- Transistor de potencia Infineon VDSS 100 V TDSON 2, config. Doble
- Transistor de potencia Infineon VDSS 40 V TDSON 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 100 V TDSON 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 100 V TDSON 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 40 V TDSON 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 55 V TDSON 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 100 V TDSON 2,
- Transistor de potencia VDSS 135 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines