Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
218-3057
Nº ref. fabric.:
IPG20N04S408AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Transistor de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IPG20

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5.15mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

5.9 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de automoción de canal N Infineon 20V-40V. La almohadilla expuesta proporciona una excelente transferencia térmica (varía según el tamaño de la matriz).

Nivel normal de canal N doble: Modo de mejora

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Prueba de avalancha al 100 %

Factible para la inspección óptica automática (AOI)

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