MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 21 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble

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Código RS:
215-2587
Nº ref. fabric.:
IRF8734TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

La serie HEXFET de MOSFET Infineon tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 30V en un encapsulado SO-8. Tiene aplicación como MOSFET síncrono para alimentación de procesador de portátiles y MOSFET de rectificador síncrono para convertidores dc-dc aislados en sistemas de red.

Carga de puerta baja

Tensión y corriente de avalancha completamente caracteriza

Probado al 100 % para RG

Sin plomo

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