MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 6.6 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- Código RS:
- 215-2582
- Nº ref. fabric.:
- IRF7311TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-2582
- Nº ref. fabric.:
- IRF7311TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión directa Vf | 0.72V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión directa Vf 0.72V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. EL SO-8 se ha modificado a través de un bastidor de cable personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de matriz múltiple, lo que lo convierte en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Con esta mejora, se pueden utilizar varios dispositivos en una aplicación con un espacio de placa reducido drásticamente. El encapsulado está diseñado para fase de vapor, infrarrojos para técnicas de soldadura por ola.
Tecnología de generación V.
Resistencia de conexión ultrabaja
Montaje superficial
Valor nominal de avalancha total
MOSFET de canal N doble
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