MOSFET Infineon IRF7311TRPBF, VDSS 20 V, ID 6,6 A, SO-8 de 8 pines

El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. EL SO-8 se ha modificado a través de un bastidor de cable personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de matriz múltiple, lo que lo convierte en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Con esta mejora, se pueden utilizar varios dispositivos en una aplicación con un espacio de placa reducido drásticamente. El encapsulado está diseñado para fase de vapor, infrarrojos para técnicas de soldadura por ola.

Tecnología de generación V.
Resistencia de conexión ultrabaja
Montaje superficial
Valor nominal de avalancha total
MOSFET de canal N doble