MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7311TRPBF, VDSS 20 V, ID 6.6 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble

Código RS:: 215-2583
Número de artículo Distrelec:: 304-39-415
Nº ref. fabric.:: IRF7311TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7311TRPBF, VDSS 20 V, ID 6.6 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble

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Código RS:: 215-2583
Número de artículo Distrelec:: 304-39-415
Nº ref. fabric.:: IRF7311TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	6.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SO-8
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	29mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	18nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12 V
	Tensión directa Vf	0.72V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Altura	1.5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5mm
	Anchura	4 mm
	Número de elementos por chip	1
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 6.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SO-8
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V
	Tensión directa Vf 0.72V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Altura 1.5mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5mm
	Anchura 4 mm
	Número de elementos por chip 1
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRF7311TRPBF

El HEXFET Infineon de quinta generación de International Rectifier utiliza Advanced Processing Techniques para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja para el área de silicio. Estas ventajas, combinadas con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que se conoce el MOSFET de potencia HEXFET, proporcionan un dispositivo de nivel suficiente para, proporcionan a los diseñadores un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. EL SO-8 se ha modificado a través de un bastidor de cable personalizado para mejorar las características térmicas y la capacidad de matriz múltiple, lo que lo convierte en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia. Con esta mejora, se pueden utilizar varios dispositivos en una aplicación con un espacio de placa reducido drásticamente. El encapsulado está diseñado para fase de vapor, infrarrojos para técnicas de soldadura por ola.

Tecnología de generación V.

Resistencia de conexión ultrabaja

Montaje superficial

Valor nominal de avalancha total

MOSFET de canal N doble

MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7311TRPBF, VDSS 20 V, ID 6.6 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble

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