MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 5.1 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
223-8452
Nº ref. fabric.:
AUIRF7341QTR
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

500mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

3 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Anchura

4 mm

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon en un encapsulado SO-8 doble utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. El eficiente encapsulado SO-8 proporciona características térmicas mejoradas y capacidad de matriz MOSFET doble que lo convierte en ideal para una gran variedad de aplicaciones de potencia.

Tecnología plana Advanced

Valor nominal DV/DT dinámico

Controlador de puerta de nivel lógico

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Sin cables

En conformidad con RoHS

Homologado para automoción

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