MOSFET Infineon IRF7805ZTRPBF, VDSS 30 V, ID 16 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:
162-3276
Nº ref. fabric.:
IRF7805ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

16 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

SO-8

Serie

IRF7805Z

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.25V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

4mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 4,5 V

Longitud

5mm

Altura

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 16 A, disipación de potencia máxima de 2,5 W - IRF7805ZTRPBF


Este MOSFET de Infineon emplea la avanzada tecnología HEXFET, que proporciona un rendimiento optimizado para aplicaciones de alta eficiencia. Con su configuración de canal N, gestiona eficazmente altas corrientes de drenaje continuas manteniendo una baja resistencia de encendido, lo que lo hace adecuado para tareas que requieren una eficiencia eléctrica robusta. La capacidad de montaje en superficie y el compacto encapsulado SO-8 aumentan su versatilidad, especialmente para circuitos de convertidores CC-CC que alimentan dispositivos electrónicos modernos.

Características y ventajas


• Rds(on) bajos para minimizar la pérdida de energía
• Aumenta la eficiencia en aplicaciones de alta corriente
• Excelente rendimiento térmico hasta +150°C
• Capacidad de conmutación rápida para mejorar la respuesta del dispositivo
• Tensión puerta-fuente máxima de ±20 V

Aplicaciones


• Aplicaciones que requieren bajas pérdidas de conducción
• Dispositivos y procesadores de comunicaciones móviles
• Sistemas de alimentación para dispositivos electrónicos
• Automatización y control en sistemas eléctricos

¿Cuál es la capacidad máxima de corriente de drenaje continua?


Puede manejar hasta 16 A, lo que permite un gran rendimiento en diversas aplicaciones.

¿Cuáles son las ventajas de utilizar este MOSFET en los circuitos?


Su baja Rds(on) y alta eficiencia reducen las pérdidas generales de potencia, lo que permite una gestión eficaz de la energía.

¿Puede este MOSFET funcionar a altas temperaturas?


Sí, está clasificado para una temperatura máxima de funcionamiento de +150°C, lo que garantiza su funcionalidad en diversas condiciones.

¿Cómo afecta la velocidad de conmutación a su rendimiento?


La capacidad de conmutación rápida mejora la respuesta del dispositivo, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.

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