Conjuntos MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7831TRPBF, VDSS 30 V, ID 21 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
215-2586
Nº ref. fabric.:
IRF7831TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Conjuntos MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.5mm

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

La serie HEXFET de MOSFET Infineon tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 30V en un encapsulado SO-8. Dispone de convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia de aplicación para aplicaciones en sistemas informáticos y de redes.

Compatible con RoHS

Calidad líder del sector

Baja RDS(ON) a 4,5 V VGS

Tensión y corriente de avalancha completamente caracteriza

Impedancia de puerta ultrabaja

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