Conjuntos MOSFET Infineon, N-Canal IRF7831TRPBF, VDSS 30 V, ID 21 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- Código RS:
- 215-2586
- Nº ref. fabric.:
- IRF7831TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 215-2586
- Nº ref. fabric.:
- IRF7831TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 40nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 40nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie HEXFET de MOSFET Infineon tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 30V en un encapsulado SO-8. Dispone de convertidor reductor síncrono de punto de carga de alta frecuencia de aplicación para aplicaciones en sistemas informáticos y de redes.
Compatible con RoHS
Calidad líder del sector
Baja RDS(ON) a 4,5 V VGS
Tensión y corriente de avalancha completamente caracteriza
Impedancia de puerta ultrabaja
Enlaces relacionados
- Conjuntos MOSFET Infineon VDSS 30 V SO-8 1, config. Doble
- MOSFET Infineon VDSS 30 V SO-8 1, config. Doble
- MOSFET Infineon VDSS 30 V SO-8 1, config. Doble
- MOSFET Infineon VDSS 50 V SO-8 1, config. Doble
- MOSFET Infineon VDSS 20 V SO-8 1, config. Doble
- MOSFET Infineon VDSS 55 V SO-8 2, config. Doble
- MOSFET Infineon VDSS 50 V SO-8 1, config. Doble
- MOSFET Infineon VDSS 20 V SO-8 1, config. Doble