MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 25 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
165-5912
Nº ref. fabric.:
IRF7105TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

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