MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal IRF9952TRPBF, VDSS 30 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 827-3934
Nº ref. fabric.:: IRF9952TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal IRF9952TRPBF, VDSS 30 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 827-3934
Nº ref. fabric.:: IRF9952TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	400mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	820mV
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20V, +20V
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	6.1nC
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 400mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 820mV
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.1nC
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 4mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 2,3A/3,5A, disipación de potencia máxima de 2W - IRF9952TRPBF

Este versátil MOSFET ofrece un alto rendimiento en un encapsulado compacto, integrando configuraciones de canal N y canal P. Está diseñado para un funcionamiento eficaz en diversas aplicaciones electrónicas, garantizando eficiencia y fiabilidad. Con una corriente de drenaje máxima de 3,5 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, es adecuado para aplicaciones que requieren una gran capacidad de conmutación.

Características y ventajas

• La configuración de doble canal aumenta la flexibilidad del diseño

• El diseño de montaje en superficie simplifica el montaje de las placas de circuito impreso

• La baja resistencia (150mΩ y 400mΩ) reduce la pérdida de potencia

• Funcionamiento a alta temperatura (+150°C) que garantiza la fiabilidad en condiciones extremas

• Las características mejoradas de la carga de puerta aumentan la eficiencia de la conmutación

• La configuración de transistores aislados minimiza las interferencias para obtener señales más limpias

Aplicaciones

• Soluciones de gestión de la energía

• Sistemas de vehículos eléctricos para mejorar la eficiencia

• Automatización y control industrial

• Sistemas de energía renovable para un rendimiento óptimo

• Electrónica de consumo para mejorar el rendimiento de los dispositivos

¿En qué beneficia a mi aplicación el aislamiento de este dispositivo?

La configuración aislada minimiza las interferencias entre circuitos, garantizando señales limpias y evitando interacciones no deseadas entre componentes.

¿Qué rango de temperatura puede soportar este aparato durante su funcionamiento?

Puede funcionar en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que la hace adecuada para condiciones extremas.

¿Puedo utilizar este producto en mi diseño de placas de circuito impreso de montaje superficial?

Sí, su diseño de montaje en superficie permite una fácil integración en los diseños de las placas de circuito impreso, optimizando el espacio y mejorando el rendimiento térmico.

¿Qué factores debo tener en cuenta al utilizarlo para aplicaciones de conmutación?

Asegúrese de que no se supera la tensión máxima de ±20 V en la fuente de puerta y compruebe que la carga de puerta coincide con la frecuencia de conmutación para obtener un rendimiento óptimo.

¿Cómo afectan las especificaciones a mi eficiencia energética?

Con una baja resistencia a la conexión y una alta corriente de drenaje continua, este MOSFET contribuye a minimizar la pérdida de potencia, mejorando la eficiencia energética global en sus diseños de circuitos.