MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 7.3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 168-7933
- Nº ref. fabric.:
- IRF7389TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 168-7933
- Nº ref. fabric.:
- IRF7389TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 98mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.78V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 98mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf 0.78V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon
Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.
Transistores MOSFET, Infineon
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