MOSFET Infineon IRF7389TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,3 A, 7,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 168-7933
Nº ref. fabric.:: IRF7389TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7389TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,3 A, 7,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 04/10/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4000)

0,386 €

(exc. IVA)

0,467 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
4000 +	0,386 €	1.544,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-7933
Nº ref. fabric.:: IRF7389TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRF7389TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,3 A, 7,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	46 MΩ, 98 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Ancho	4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	22 nC a 10 V, 23 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.5mm

MOSFET Infineon IRF7389TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,3 A, 7,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon