MOSFET Infineon IRF9952TRPBF, VDSS 30 V, ID 2,3 A, 3,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 145-9491
Nº ref. fabric.:: IRF9952TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF9952TRPBF, VDSS 30 V, ID 2,3 A, 3,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

3100 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4000)

0,285 €

(exc. IVA)

0,345 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
4000 +	0,285 €	1.140,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 145-9491
Nº ref. fabric.:: IRF9952TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRF9952TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,3 A, 3,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	150 mΩ, 400 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6,1 nC a 10 V, 6,9 nC a 10 V
Longitud	5mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	2
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRF9952TRPBF, VDSS 30 V, ID 2,3 A, 3,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon