MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 3.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

1.176,00 €

(exc. IVA)

1.424,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 08 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
4000 +0,294 €1.176,00 €

*precio indicativo

Código RS:
145-9491
Nº ref. fabric.:
IRF9952TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

0.82V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 2,3A/3,5A, disipación de potencia máxima de 2W - IRF9952TRPBF


Este versátil MOSFET ofrece un alto rendimiento en un encapsulado compacto, integrando configuraciones de canal N y canal P. Está diseñado para un funcionamiento eficaz en diversas aplicaciones electrónicas, garantizando eficiencia y fiabilidad. Con una corriente de drenaje máxima de 3,5 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, es adecuado para aplicaciones que requieren una gran capacidad de conmutación.

Características y ventajas


• La configuración de doble canal aumenta la flexibilidad del diseño

• El diseño de montaje en superficie simplifica el montaje de las placas de circuito impreso

• La baja resistencia (150mΩ y 400mΩ) reduce la pérdida de potencia

• Funcionamiento a alta temperatura (+150°C) que garantiza la fiabilidad en condiciones extremas

• Las características mejoradas de la carga de puerta aumentan la eficiencia de la conmutación

• La configuración de transistores aislados minimiza las interferencias para obtener señales más limpias

Aplicaciones


• Soluciones de gestión de la energía

• Sistemas de vehículos eléctricos para mejorar la eficiencia

• Automatización y control industrial

• Sistemas de energía renovable para un rendimiento óptimo

• Electrónica de consumo para mejorar el rendimiento de los dispositivos

¿En qué beneficia a mi aplicación el aislamiento de este dispositivo?


La configuración aislada minimiza las interferencias entre circuitos, garantizando señales limpias y evitando interacciones no deseadas entre componentes.

¿Qué rango de temperatura puede soportar este aparato durante su funcionamiento?


Puede funcionar en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que la hace adecuada para condiciones extremas.

¿Puedo utilizar este producto en mi diseño de placas de circuito impreso de montaje superficial?


Sí, su diseño de montaje en superficie permite una fácil integración en los diseños de las placas de circuito impreso, optimizando el espacio y mejorando el rendimiento térmico.

¿Qué factores debo tener en cuenta al utilizarlo para aplicaciones de conmutación?


Asegúrese de que no se supera la tensión máxima de ±20 V en la fuente de puerta y compruebe que la carga de puerta coincide con la frecuencia de conmutación para obtener un rendimiento óptimo.

¿Cómo afectan las especificaciones a mi eficiencia energética?


Con una baja resistencia a la conexión y una alta corriente de drenaje continua, este MOSFET contribuye a minimizar la pérdida de potencia, mejorando la eficiencia energética global en sus diseños de circuitos.

Enlaces relacionados