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MOSFET Infineon IRF7316TRPBF, VDSS 30 V, ID 4,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 165-5939
Nº ref. fabric.:: IRF7316TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7316TRPBF, VDSS 30 V, ID 4,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4000)

0,379 €

(exc. IVA)

0,459 €

(inc.IVA)

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/06/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
4000 +	0,379 €	1.516,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-5939
Nº ref. fabric.:: IRF7316TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	98 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4mm
Número de Elementos por Chip	2
Carga Típica de Puerta @ Vgs	23 nC a 10 V
Longitud	5mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C