MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7303TRPBF, VDSS 30 V, ID 4.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 826-8841
- Nº ref. fabric.:
- IRF7303TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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| 100 - 180 | 0,369 € | 7,38 € |
| 200 - 480 | 0,341 € | 6,82 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 826-8841
- Nº ref. fabric.:
- IRF7303TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 4,9 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7303TRPBF
Este MOSFET de canal N está diseñado para la gestión eficaz de la energía en diversas aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 4,9 A y una tensión de drenaje-fuente de 30 V, ofrece un alto rendimiento en distintos entornos. Su capacidad de montaje en superficie lo hace adecuado para diseños de circuitos compactos en los que la eficiencia de espacio y el rendimiento térmico son importantes. Este dispositivo demuestra fiabilidad y eficacia en automatización y electrónica.
Características y ventajas
• Eficiencia mejorada con un bajo Rds(on) de 80 mΩ
• Alta capacidad de disipación de energía con un máximo de 2 W
• Integración de dos canales para aumentar la funcionalidad de los diseños
• Funcionamiento térmico robusto hasta +150°C para aplicaciones versátiles
• Optimizado para el funcionamiento en modo de mejora de la gestión de la energía
• El compacto encapsulado SOIC facilita la integración en las modernas placas de circuito impreso
Aplicaciones
• Se utiliza en circuitos de alimentación para regular la tensión
• Se emplea en sistemas de control de motores para un funcionamiento eficaz
• Apto para iluminación que requieren una conmutación robusta
• Integrado en la electrónica de consumo para mejorar la eficiencia energética
• Ideal para sistemas de automoción que requieren un rendimiento fiable
¿Cuál es la tensión puerta-fuente máxima de este dispositivo?
La tensión máxima de la fuente de puerta es de ±20 V, lo que garantiza la compatibilidad con diversos circuitos de control.
¿Cómo afecta el valor Rds(on) a la eficiencia?
Un Rds(on) más bajo reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia global en las aplicaciones.
¿Puede funcionar a temperaturas extremas?
Sí, funciona en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que resulta adecuado para entornos difíciles.
¿Con qué tipo de placas de circuito es compatible?
Está diseñado para placas de circuitos con tecnología de montaje en superficie (SMT), lo que permite un aprovechamiento eficaz del espacio.
¿Cómo debe abordarse la instalación de este componente?
Se debe tener cuidado de utilizar técnicas de soldadura adecuadas para evitar daños por calor y garantizar un ajuste seguro en la placa de circuito impreso.
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