MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 4.9 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 165-5931
- Nº ref. fabric.:
- IRF7303TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*
888,00 €
(exc. IVA)
1.076,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Envío desde el 28 de diciembre de 2026
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,222 € | 888,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 165-5931
- Nº ref. fabric.:
- IRF7303TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 4,9 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7303TRPBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cuál es la tensión puerta-fuente máxima de este dispositivo?
¿Cómo afecta el valor Rds(on) a la eficiencia?
¿Puede funcionar a temperaturas extremas?
¿Con qué tipo de placas de circuito es compatible?
¿Cómo debe abordarse la instalación de este componente?
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon VDSS 30 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 30 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 30 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 20 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 80 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 55 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 50 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 20 V SOIC 2, config. Aislado
