MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 50 V, ID 3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 168-8757
Nº ref. fabric.:: IRF7103TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 50 V, ID 3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 168-8757
Nº ref. fabric.:: IRF7103TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	50V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	200mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	12nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Altura	1.5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5mm
	Anchura	4mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Aislado
	Altura 1.5mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5mm
	Anchura 4mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7103TRPBF

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones. Su construcción duradera es especialmente ventajosa en circuitos que requieren una gestión eficaz de la energía, por lo que es adecuado para los sectores eléctrico y de automatización. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 50 V, garantiza una capacidad de conmutación fiable para satisfacer las demandas de las aplicaciones.

Características y ventajas

• Bajo Rds(on) de 200mΩ para mejorar la eficiencia

• La corriente de drenaje continua máxima de 3 A mejora la gestión de la potencia

• Temperaturas de funcionamiento de hasta +150°C para una mayor fiabilidad

• Amplio rango de umbral de puerta de 1 V a 3 V para un control flexible

• La configuración de doble transistor aislado facilita la integración del circuito

• El diseño de montaje en superficie simplifica el montaje de las placas de circuito impreso y optimiza el espacio

Aplicaciones

• Se utiliza en diseños de fuentes de alimentación para un funcionamiento energéticamente eficiente

• Integrado en el accionamiento del motor para un control eficaz del motor

• Se emplea en fuentes de alimentación conmutadas para mejorar el rendimiento

• Adecuado para sistemas de automatización que requieren componentes de conmutación fiables

¿Cuál es el intervalo de temperatura de funcionamiento recomendado para este componente?

El componente funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.

¿Cómo se determina la tensión de puerta adecuada para un rendimiento óptimo?

La tensión aceptable de la fuente de puerta varía de -20 V a +20 V, lo que proporciona flexibilidad en los diseños de circuitos de control. Para obtener los mejores resultados, se recomienda operar cerca de 10V, como indican las especificaciones típicas de carga de puerta.

¿Qué precauciones de seguridad deben tomarse al utilizar este aparato?

Es importante no superar los valores nominales de tensión y corriente durante el funcionamiento para evitar posibles fallos o daños. Además, puede ser necesario un disipador térmico adecuado para mantener temperaturas de funcionamiento óptimas bajo cargas pesadas.

¿Puede utilizarse en circuitos que requieran conmutación rápida?

Sí, este MOSFET está diseñado para capacidades de conmutación rápida, por lo que es muy adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento de alta velocidad, como el control PWM en controladores de motor.

¿Es compatible este MOSFET con los diseños de placa de circuito impreso estándar?

El diseño de montaje en superficie se ajusta a los diseños estándar de las placas de circuito impreso, lo que facilita la integración en los circuitos existentes con unos ajustes mínimos para su colocación.