MOSFET Infineon IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:
165-5961
Nº ref. fabric.:
IRF8313TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9,7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

21,6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.35V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

2 W

Configuración de transistor

Aislado

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

4mm

Altura

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
TH

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