MOSFET onsemi FDS6900AS, VDSS 30 V, ID 6,9 A, 8,2 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Serie

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Código RS:
166-2446
Nº ref. fabric.:
FDS6900AS
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

6,9 A, 8,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Serie

PowerTrench, SyncFET

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 MΩ, 27 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2 W

Configuración de transistor

Serie

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

2

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V, 11 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Longitud

5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

3.99mm

Altura

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
MY

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