MOSFET onsemi FDS6900AS, VDSS 30 V, ID 6,9 A, 8,2 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Serie

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Código RS:
166-2446
Nº ref. fabric.:
FDS6900AS
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

6,9 A, 8,2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Serie

PowerTrench, SyncFET

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 MΩ, 27 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2 W

Configuración de transistor

Serie

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

2

Material del transistor

Si

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V, 11 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

3.99mm

Altura

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

COO (País de Origen):
MY

MOSFET doble SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Diseñado para minimizar las pérdidas de conversión de potencia, al tiempo que mantiene un excelente rendimiento de conmutación
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SyncFET™ se beneficia del eficaz diodo de cuerpo Schottky
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Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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