MOSFET Infineon BSO150N03MDGXUMA1, VDSS 30 V, ID 9,3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:
145-9453
Nº ref. fabric.:
BSO150N03MDGXUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9,3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Serie

OptiMOS™

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2 W

Configuración de transistor

Aislado

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,1 nC a 4,5 V

Longitud

5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Ancho

4mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.65mm

MOSFET de potencia doble Infineon OptiMOS™



Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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