MOSFET Infineon IRF8313TRPBF, VDSS 30 V, ID 9,7 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
- Código RS:
- 827-3903
- Nº ref. fabric.:
- IRF8313TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
3920 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,667 €
(exc. IVA)
0,807 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 20 - 80 | 0,667 € | 13,34 € |
| 100 - 180 | 0,514 € | 10,28 € |
| 200 - 480 | 0,48 € | 9,60 € |
| 500 - 980 | 0,447 € | 8,94 € |
| 1000 + | 0,414 € | 8,28 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 827-3903
- Nº ref. fabric.:
- IRF8313TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 9,7 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 21,6 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.35V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.35V |
| Disipación de Potencia Máxima | 2 W |
| Configuración de transistor | Aislado |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Número de Elementos por Chip | 2 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Longitud | 5mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 6 nC a 4,5 V |
| Ancho | 4mm |
| Material del transistor | Si |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1.5mm |
- Código RS:
- 827-3903
- Nº ref. fabric.:
- IRF8313TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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