MOSFET Infineon, N-Canal IRF7380TRPBF, VDSS 80 V, ID 3.6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 826-8904
- Nº ref. fabric.:
- IRF7380TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 100 - 180 | 0,558 € | 11,16 € |
| 200 - 480 | 0,522 € | 10,44 € |
| 500 - 980 | 0,486 € | 9,72 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 826-8904
- Nº ref. fabric.:
- IRF7380TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 73mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Altura | 1.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 4mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 73mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Altura 1.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 4mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7380TRPBF
Este MOSFET está diseñado para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones electrónicas. Con una tensión nominal alta y una corriente de drenaje continua de 3,6 A, es adecuado para convertidores CC-CC de alta frecuencia, lo que garantiza un rendimiento fiable. Su avanzado diseño ofrece una solución práctica para los profesionales de los sectores de la automatización, la electrónica y la mecánica que buscan un componente versátil para sus circuitos.
Características y ventajas
• El encapsulado SO-8 estándar garantiza la compatibilidad entre distintos fabricantes
• La baja Rds(on) de 73mΩ optimiza la eficiencia en aplicaciones de potencia
• El funcionamiento en modo Enhancement mejora las características de rendimiento
• La baja carga de puerta de 15nC permite velocidades de conmutación más rápidas
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 80 V para necesidades de alta potencia
• El cumplimiento de la directiva RoHS y la ausencia de halógenos favorecen la seguridad medioambiental
Aplicaciones
• Se utiliza en convertidores CC-CC de alta frecuencia para regular la potencia
• Eficaz en sistemas de gestión de baterías que requieren baja pérdida de potencia
• Adecuado para controladores de motor que necesitan un rendimiento de conmutación eficiente
• Se emplea en fuentes de alimentación para mejorar la eficiencia general
• Adecuado para accionar cargas inductivas como relés y solenoides
¿Qué implicaciones tiene la corriente de drenaje continua máxima?
La corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A indica su capacidad para gestionar corrientes más altas en aplicaciones como circuitos de alimentación, garantizando un funcionamiento estable sin sobrecalentamiento.
¿Cómo afecta la baja Rds(on) al rendimiento?
El bajo Rds(on) de 73mΩ reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia global del sistema, especialmente beneficioso en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.
¿Qué importancia tienen sus valores de temperatura?
Su funcionamiento entre -55 °C y +150 °C garantiza que el componente pueda soportar condiciones ambientales adversas, lo que lo hace idóneo para aplicaciones industriales.
¿Se puede montar este componente directamente en placas de circuito impreso?
Sí, su diseño de montaje en superficie permite una fácil integración en los diseños de placas de circuito impreso, lo que favorece la eficacia de los procesos de fabricación y garantiza ventajas de ahorro de espacio en diseños compactos.
¿Cómo influye la tensión umbral de la puerta en su funcionamiento?
Con una tensión de umbral de puerta que oscila entre 2 V y 4 V, proporciona flexibilidad de diseño, permitiendo la compatibilidad con diversas señales de control y garantizando al mismo tiempo la activación eficaz del dispositivo.
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