MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 80 V, ID 3.6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 165-5940
Nº ref. fabric.:: IRF7380TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, N-Canal, VDSS 80 V, ID 3.6 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

1.500,00 €

(exc. IVA)

1.816,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Agotado temporalmente

Envío desde el 20 de septiembre de 2027

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
4000 +	0,375 €	1.500,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 165-5940
Nº ref. fabric.:: IRF7380TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	73mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15nC
	Tensión directa Vf	1.3V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Anchura	4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado SOIC
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 73mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 2W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC
	Tensión directa Vf 1.3V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Anchura 4mm
	Certificaciones y estándares No
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7380TRPBF

Este MOSFET está diseñado para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones electrónicas. Con una tensión nominal alta y una corriente de drenaje continua de 3,6 A, es adecuado para convertidores CC-CC de alta frecuencia, lo que garantiza un rendimiento fiable. Su avanzado diseño ofrece una solución práctica para los profesionales de los sectores de la automatización, la electrónica y la mecánica que buscan un componente versátil para sus circuitos.

Características y ventajas

• El encapsulado SO-8 estándar garantiza la compatibilidad entre distintos fabricantes

• La baja Rds(on) de 73mΩ optimiza la eficiencia en aplicaciones de potencia

• El funcionamiento en modo Enhancement mejora las características de rendimiento

• La baja carga de puerta de 15nC permite velocidades de conmutación más rápidas

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 80 V para necesidades de alta potencia

• El cumplimiento de la directiva RoHS y la ausencia de halógenos favorecen la seguridad medioambiental

Aplicaciones

• Se utiliza en convertidores CC-CC de alta frecuencia para regular la potencia

• Eficaz en sistemas de gestión de baterías que requieren baja pérdida de potencia

• Adecuado para controladores de motor que necesitan un rendimiento de conmutación eficiente

• Se emplea en fuentes de alimentación para mejorar la eficiencia general

• Adecuado para accionar cargas inductivas como relés y solenoides

¿Qué implicaciones tiene la corriente de drenaje continua máxima?

La corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A indica su capacidad para gestionar corrientes más altas en aplicaciones como circuitos de alimentación, garantizando un funcionamiento estable sin sobrecalentamiento.

¿Cómo afecta la baja Rds(on) al rendimiento?

El bajo Rds(on) de 73mΩ reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia global del sistema, especialmente beneficioso en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.

¿Qué importancia tienen sus valores de temperatura?

Su funcionamiento entre -55 °C y +150 °C garantiza que el componente pueda soportar condiciones ambientales adversas, lo que lo hace idóneo para aplicaciones industriales.

¿Se puede montar este componente directamente en placas de circuito impreso?

Sí, su diseño de montaje en superficie permite una fácil integración en los diseños de placas de circuito impreso, lo que favorece la eficacia de los procesos de fabricación y garantiza ventajas de ahorro de espacio en diseños compactos.

¿Cómo influye la tensión umbral de la puerta en su funcionamiento?

Con una tensión de umbral de puerta que oscila entre 2 V y 4 V, proporciona flexibilidad de diseño, permitiendo la compatibilidad con diversas señales de control y garantizando al mismo tiempo la activación eficaz del dispositivo.