MOSFET Infineon IRF7103TRPBF, VDSS 50 V, ID 3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 831-2865
Nº ref. fabric.:: IRF7103TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7103TRPBF, VDSS 50 V, ID 3 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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**precio indicativo

Código RS:: 831-2865
Nº ref. fabric.:: IRF7103TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7103TRPBF

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones. Su construcción duradera es especialmente ventajosa en circuitos que requieren una gestión eficaz de la energía, por lo que es adecuado para los sectores eléctrico y de automatización. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 50 V, garantiza una capacidad de conmutación fiable para satisfacer las demandas de las aplicaciones.

Características y ventajas

• Bajo Rds(on) de 200mΩ para mejorar la eficiencia
• La corriente de drenaje continua máxima de 3 A mejora la gestión de la potencia
• Temperaturas de funcionamiento de hasta +150°C para una mayor fiabilidad
• Amplio rango de umbral de puerta de 1 V a 3 V para un control flexible
• La configuración de doble transistor aislado facilita la integración del circuito
• El diseño de montaje en superficie simplifica el montaje de las placas de circuito impreso y optimiza el espacio

Aplicaciones

• Se utiliza en diseños de fuentes de alimentación para un funcionamiento energéticamente eficiente
• Integrado en el accionamiento del motor para un control eficaz del motor
• Se emplea en fuentes de alimentación conmutadas para mejorar el rendimiento
• Adecuado para sistemas de automatización que requieren componentes de conmutación fiables

¿Cuál es el intervalo de temperatura de funcionamiento recomendado para este componente?

El componente funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.

¿Cómo se determina la tensión de puerta adecuada para un rendimiento óptimo?

La tensión aceptable de la fuente de puerta varía de -20 V a +20 V, lo que proporciona flexibilidad en los diseños de circuitos de control. Para obtener los mejores resultados, se recomienda operar cerca de 10V, como indican las especificaciones típicas de carga de puerta.

¿Qué precauciones de seguridad deben tomarse al utilizar este aparato?

Es importante no superar los valores nominales de tensión y corriente durante el funcionamiento para evitar posibles fallos o daños. Además, puede ser necesario un disipador térmico adecuado para mantener temperaturas de funcionamiento óptimas bajo cargas pesadas.

¿Puede utilizarse en circuitos que requieran conmutación rápida?

Sí, este MOSFET está diseñado para capacidades de conmutación rápida, por lo que es muy adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento de alta velocidad, como el control PWM en controladores de motor.

¿Es compatible este MOSFET con los diseños de placa de circuito impreso estándar?

El diseño de montaje en superficie se ajusta a los diseños estándar de las placas de circuito impreso, lo que facilita la integración en los circuitos existentes con unos ajustes mínimos para su colocación.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	50 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	200 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	12 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Ancho	4mm
Altura	1.5mm
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C