MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF7103TRPBF, VDSS 50 V, ID 3 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 831-2865
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-449
- Nº ref. fabric.:
- IRF7103TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 831-2865
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-449
- Nº ref. fabric.:
- IRF7103TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- PH
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7103TRPBF
Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones. Su construcción duradera es especialmente ventajosa en circuitos que requieren una gestión eficaz de la energía, por lo que es adecuado para los sectores eléctrico y de automatización. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 50 V, garantiza una capacidad de conmutación fiable para satisfacer las demandas de las aplicaciones.
Características y ventajas
• Bajo Rds(on) de 200mΩ para mejorar la eficiencia
• La corriente de drenaje continua máxima de 3 A mejora la gestión de la potencia
• Temperaturas de funcionamiento de hasta +150°C para una mayor fiabilidad
• Amplio rango de umbral de puerta de 1 V a 3 V para un control flexible
• La configuración de doble transistor aislado facilita la integración del circuito
• El diseño de montaje en superficie simplifica el montaje de las placas de circuito impreso y optimiza el espacio
Aplicaciones
• Se utiliza en diseños de fuentes de alimentación para un funcionamiento energéticamente eficiente
• Integrado en el accionamiento del motor para un control eficaz del motor
• Se emplea en fuentes de alimentación conmutadas para mejorar el rendimiento
• Adecuado para sistemas de automatización que requieren componentes de conmutación fiables
¿Cuál es el intervalo de temperatura de funcionamiento recomendado para este componente?
El componente funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.
¿Cómo se determina la tensión de puerta adecuada para un rendimiento óptimo?
La tensión aceptable de la fuente de puerta varía de -20 V a +20 V, lo que proporciona flexibilidad en los diseños de circuitos de control. Para obtener los mejores resultados, se recomienda operar cerca de 10V, como indican las especificaciones típicas de carga de puerta.
¿Qué precauciones de seguridad deben tomarse al utilizar este aparato?
Es importante no superar los valores nominales de tensión y corriente durante el funcionamiento para evitar posibles fallos o daños. Además, puede ser necesario un disipador térmico adecuado para mantener temperaturas de funcionamiento óptimas bajo cargas pesadas.
¿Puede utilizarse en circuitos que requieran conmutación rápida?
Sí, este MOSFET está diseñado para capacidades de conmutación rápida, por lo que es muy adecuado para aplicaciones que requieren un rendimiento de alta velocidad, como el control PWM en controladores de motor.
¿Es compatible este MOSFET con los diseños de placa de circuito impreso estándar?
El diseño de montaje en superficie se ajusta a los diseños estándar de las placas de circuito impreso, lo que facilita la integración en los circuitos existentes con unos ajustes mínimos para su colocación.
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