MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 826-8866P
- Nº ref. fabric.:
- IRF7309TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 100 unidades (suministrado en una tira continua)*
42,80 €
(exc. IVA)
51,80 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5240 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 100 - 180 | 0,428 € |
| 200 - 480 | 0,402 € |
| 500 - 980 | 0,37 € |
| 1000 + | 0,259 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 826-8866P
- Nº ref. fabric.:
- IRF7309TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon
Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Enlaces relacionados
- MOSFET Infineon Tipo P-Canal ID 4 A Mejora de 8 pines config. Aislado
- MOSFET Infineon Tipo P-Canal IRF7309TRPBF ID 4 A Mejora de 8 pines config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 20 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 30 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon VDSS 55 V SOIC 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon Tipo N-Canal ID 3.5 A Mejora de 8 pines config. Aislado
- MOSFET Infineon Tipo N-Canal ID 7.3 A Mejora de 8 pines config. Aislado
- MOSFET Infineon Tipo N-Canal ID 3.5 A Mejora de 8 pines config. Aislado