Nº ref. fabric.

MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 826-8866P
Nº ref. fabric.:: IRF7309TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 826-8866P
Nº ref. fabric.:: IRF7309TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	80mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	16.7nC
	Disipación de potencia máxima Pd	1.4W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1V
	Configuración de transistor	Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Anchura	4 mm
	Longitud	5mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie HEXFET
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.7nC
	Disipación de potencia máxima Pd 1.4W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1V
	Configuración de transistor Aislado
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Anchura 4 mm
	Longitud 5mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

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MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

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