MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal IRF7309TRPBF, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 826-8866
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-451
- Nº ref. fabric.:
- IRF7309TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,66 € | 13,20 € |
| 100 - 180 | 0,535 € | 10,70 € |
| 200 - 480 | 0,502 € | 10,04 € |
| 500 - 980 | 0,462 € | 9,24 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 826-8866
- Número de artículo Distrelec:
- 304-44-451
- Nº ref. fabric.:
- IRF7309TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon
Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.
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