MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
168-7929
Nº ref. fabric.:
IRF7309TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.4W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

4 mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH

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