MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 168-7929
Nº ref. fabric.:: IRF7309TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

1.032,00 €

(exc. IVA)

1.248,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Disponible

Disponible(s) 4000 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
4000 +	0,258 €	1.032,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-7929
Nº ref. fabric.:: IRF7309TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	80mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	16.7nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.4W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Anchura	4 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.5mm
	Longitud	5mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N, Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOIC
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.7nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.4W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Aislado
	Anchura 4 mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.5mm
	Longitud 5mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: PH

MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon

Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

Enlaces relacionados