MOSFET Infineon IRF7105TRPBF, VDSS 25 V, ID 2,3 A, 3,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 826-8829
Nº ref. fabric.:: IRF7105TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7105TRPBF, VDSS 25 V, ID 2,3 A, 3,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

7180 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,509 €

(exc. IVA)

0,616 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 180	0,509 €	10,18 €
200 - 480	0,484 €	9,68 €
500 - 980	0,464 €	9,28 €
1000 - 1980	0,433 €	8,66 €
2000 +	0,407 €	8,14 €

*precio indicativo

Código RS:: 826-8829
Nº ref. fabric.:: IRF7105TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon

Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,3 A, 3,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	160 mΩ, 400 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	4mm
Número de Elementos por Chip	2
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC a 10 V, 9,4 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	5mm
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C