Nº ref. fabric.

MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal DMP4025LSD-13, VDSS 40 V, ID 5.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

Código RS:: 823-4030
Nº ref. fabric.:: DMP4025LSD-13
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo P-Canal DMP4025LSD-13, VDSS 40 V, ID 5.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Código RS:: 823-4030
Nº ref. fabric.:: DMP4025LSD-13
Fabricante:: DiodesZetex

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	5.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	SOIC
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	45mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	14nC
	Tensión directa Vf	-0.7V
	Disipación de potencia máxima Pd	2.14W
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Certificaciones y estándares	MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020
	Altura	1.5mm
	Longitud	4.95mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 5.8A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado SOIC
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14nC
	Tensión directa Vf -0.7V
	Disipación de potencia máxima Pd 2.14W
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Configuración de transistor Aislado
	Certificaciones y estándares MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020
	Altura 1.5mm
	Longitud 4.95mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

MOSFET de canal P doble, Diodes Inc.

Transistores MOSFET, Diodes Inc.

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