MOSFET Infineon BSO604NS2XUMA1, VDSS 55 V, ID 5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

Código RS:: 222-4625
Nº ref. fabric.:: BSO604NS2XUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSO604NS2XUMA1, VDSS 55 V, ID 5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

4770 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,796 €

(exc. IVA)

2,173 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	1,796 €	17,96 €
50 - 90	1,708 €	17,08 €
100 - 240	1,536 €	15,36 €
250 - 490	1,382 €	13,82 €
500 +	1,313 €	13,13 €

*precio indicativo

Código RS:: 222-4625
Nº ref. fabric.:: BSO604NS2XUMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - BSO604NS2XUMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Nivel lógico
Producto verde de modo de mejora (compatible con RoHS)
Calificación AEC

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	OptiMOS™
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0.035 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Número de Elementos por Chip	2
Material del transistor	Silicio

MOSFET Infineon BSO604NS2XUMA1, VDSS 55 V, ID 5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos

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