MOSFET Infineon, Tipo N-Canal BSO604NS2XUMA1, VDSS 55 V, ID 5 A, DSO, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 222-4625
- Nº ref. fabric.:
- BSO604NS2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4625
- Nº ref. fabric.:
- BSO604NS2XUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | DSO | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19.7nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.94 mm | |
| Altura | 1.47mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado DSO | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.7nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.94 mm | ||
Altura 1.47mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Nivel lógico
Producto verde de modo de mejora (compatible con RoHS)
Calificación AEC
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