MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 55 V, ID 5 A, DSO, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
222-4623
Nº ref. fabric.:
BSO604NS2XUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

DSO

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.47mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.94 mm

Longitud

4.9mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Nivel lógico

Producto verde de modo de mejora (compatible con RoHS)

Calificación AEC

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