MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ056N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 72 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines

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Código RS:
348-900
Nº ref. fabric.:
ISZ056N03LF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

72A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PG-TSDSON-8

Serie

ISZ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.4nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de potencia StrongIRFET 2 30 V de Infineon en encapsulado PQFN 3,3 x 3,3. La tecnología MOSFET de potencia StrongIRFET 2 de 30 V de Infineon presenta una RDS(on) de 5,6 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación.

Productos de uso general

Excelente robustez

Relación calidad/precio superior

Amplia disponibilidad en distribuidores

Encapsulado estándar y disposición de pines

Altos estándares de fabricación y suministro

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