MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ056N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 72 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 348-900
- Nº ref. fabric.:
- ISZ056N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,773 € | 15,46 € |
| 200 - 480 | 0,735 € | 14,70 € |
| 500 - 980 | 0,68 € | 13,60 € |
| 1000 - 1980 | 0,627 € | 12,54 € |
| 2000 + | 0,603 € | 12,06 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 348-900
- Nº ref. fabric.:
- ISZ056N03LF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 72A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | ISZ | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 72A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie ISZ | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de potencia StrongIRFET 2 30 V de Infineon en encapsulado PQFN 3,3 x 3,3. La tecnología MOSFET de potencia StrongIRFET 2 de 30 V de Infineon presenta una RDS(on) de 5,6 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado PQFN de 3,3 x 3,3. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación.
Productos de uso general
Excelente robustez
Relación calidad/precio superior
Amplia disponibilidad en distribuidores
Encapsulado estándar y disposición de pines
Altos estándares de fabricación y suministro
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