MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ106N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 62 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 285-061
- Nº ref. fabric.:
- ISZ106N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
- Código RS:
- 285-061
- Nº ref. fabric.:
- ISZ106N12LM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS 6 Power Transistor | |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 94W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Serie OptiMOS 6 Power Transistor | ||
Encapsulado PG-TSDSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 94W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia que se destaca en aplicaciones de alto rendimiento, diseñado para satisfacer las necesidades de los sistemas electrónicos modernos. Su tecnología de canal N avanzada proporciona una notable eficiencia y fiabilidad, lo que lo convierte en ideal para operaciones de conmutación de alta frecuencia. Diseñado para profesionales en el campo, este producto combina una baja resistencia de encendido con características de carga de puerta superiores. Esto lo convierte en una elección adecuada para rectificación síncrona y aplicaciones industriales.
La resistencia de encendido muy baja mejora la eficiencia
Optimizado para conmutación de alta frecuencia
Alta calificación de energía de avalancha para mayor fiabilidad
Excelente carga de puerta para una respuesta rápida
Chapado de cable sin plomo para garantizar el cumplimiento
Funciona de 55 °C a 175 °C
Clasificación MSL 1 para facilitar la fabricación
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-TDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines