MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ106N12LM6ATMA1, VDSS 120 V, ID 62 A, Mejora, PG-TSDSON-8 de 8 pines

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Código RS:
285-060
Nº ref. fabric.:
ISZ106N12LM6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

62A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Encapsulado

PG-TSDSON-8

Serie

OptiMOS 6 Power Transistor

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

94W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un transistor de potencia que se destaca en aplicaciones de alto rendimiento, diseñado para satisfacer las necesidades de los sistemas electrónicos modernos. Su tecnología de canal N avanzada proporciona una notable eficiencia y fiabilidad, lo que lo convierte en ideal para operaciones de conmutación de alta frecuencia. Diseñado para profesionales en el campo, este producto combina una baja resistencia de encendido con características de carga de puerta superiores. Esto lo convierte en una elección adecuada para rectificación síncrona y aplicaciones industriales.

La resistencia de encendido muy baja mejora la eficiencia

Optimizado para conmutación de alta frecuencia

Alta calificación de energía de avalancha para mayor fiabilidad

Excelente carga de puerta para una respuesta rápida

Chapado de cable sin plomo para garantizar el cumplimiento

Funciona de 55 °C a 175 °C

Clasificación MSL 1 para facilitar la fabricación

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