MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ068N06NSATMA1, VDSS 60 V, ID 63 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 222-4629
- Nº ref. fabric.:
- BSZ068N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,801 € | 12,02 € |
| 75 - 135 | 0,761 € | 11,42 € |
| 150 - 360 | 0,729 € | 10,94 € |
| 375 - 735 | 0,697 € | 10,46 € |
| 750 + | 0,649 € | 9,74 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4629
- Nº ref. fabric.:
- BSZ068N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 63A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 46W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Altura | 1.2mm | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 63A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 46W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.35mm | ||
Altura 1.2mm | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
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