MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 114 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
222-4626
Nº ref. fabric.:
BSZ028N04LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

114A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

OptiMOS-TM3

Encapsulado

TSDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.2mm

Anchura

6.1 mm

Longitud

5.35mm

Estándar de automoción

No

El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23

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